LED的長(cháng)時(shí)間工作會(huì )光衰引起老化，尤其對大功率LED來(lái)說(shuō)，光衰問(wèn)題更加嚴重。在衡量LED的壽命時(shí)，僅僅以燈的損壞來(lái)作為 LED顯示屏壽命的終點(diǎn)是遠遠不夠的，應該以LED的光衰減百分比來(lái)規定LED的壽命，比如5%或10%，這樣更有意義。

光衰:在對感光鼓表面充電時(shí)，隨著(zhù)電荷在感光鼓表面的積累，電位也不斷升高，達到 "飽和"電位，就是高電位。表面電位會(huì )隨著(zhù)時(shí)間的推移而下降，一般工作時(shí)的電位都低于這個(gè)電位，這個(gè)電位隨時(shí)間自然降低的過(guò)程，稱(chēng)之為"暗衰"過(guò)程。感光鼓經(jīng)掃描曝光時(shí)，暗區（指未受光照射部分的光導體表面）電位仍處在暗衰過(guò)程；亮區（指受光照射部分的光導體表面）光導層內載流子密度迅速增加，電導率急速上升，形成光導電壓，電荷迅速消失，光導體表面電位也迅速下降。稱(chēng)之為"光衰"，趨緩。(全彩LED顯示屏)

光致衰退效應:也稱(chēng)S-W效應。a-Si∶H薄膜經(jīng)較長(cháng)時(shí)間的強光照射或電流通過(guò),在其內部將產(chǎn)生缺陷而使薄膜的使用性能下降,稱(chēng)為Steabler-Wronski效應。對S-W效應的起因,至今仍有不少爭議,造成衰退的微觀(guān)機制也尚無(wú)定論,成為迄今國內外非晶硅材料研究的熱門(mén)課題?？偟目捶ㄕJ為,S-W效應起因于光照導致在帶隙中產(chǎn)生了新的懸掛鍵缺陷態(tài)(深能級),這種缺陷態(tài)會(huì )影響a-Si∶H薄膜材料的費米能級EF的位置,從而使電子的分布情況發(fā)生變化,進(jìn)而一方面引起光學(xué)性能的變化,另一方面對電子的復合過(guò)程產(chǎn)生影響。這些缺陷態(tài)成為電子和空穴的額外復合中心,使得電子的俘獲截面增大、壽命下降。 (深圳LED顯示屏廠(chǎng)家)

在a-Si∶H薄膜材料中,能夠穩定存在的是Si-H鍵和與晶體硅類(lèi)似的Si-Si鍵,這些鍵的鍵能較大,不容易被打斷。由于a-Si∶H材料結構上的無(wú)序,使得一些Si-Si鍵的鍵長(cháng)和鍵角發(fā)生變化而使Si-Si鍵處于應變狀態(tài)。高應變Si-Si鍵的化學(xué)勢與H相當,可以被外界能量打斷,形成Si-H鍵或重新組成更強的Si-Si鍵。如果斷裂的應變Si-Si鍵沒(méi)有重構,則a-Si∶H薄膜的懸掛鍵密度增加。為了更好地理解S-W效應產(chǎn)生的機理并控制a-Si∶H薄膜中的懸掛鍵,以期尋找穩定化處理方法和工藝,20多年來(lái),國內外科學(xué)工作者進(jìn)行了不懈的努力,提出了大量的物理模型,主要有弱鍵斷裂(SJT)模型、“H玻璃”模型、H碰撞模型、Si-H-Si橋鍵形成模型、“defect pool”模型等,但至今仍沒(méi)有形成統一的觀(guān)點(diǎn)。

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